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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
52
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
14900
左右 1.72 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
34
读取速度,GB/s
9.7
16.7
写入速度,GB/s
7.2
12.3
内存带宽,mbps
14900
25600
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
2584
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
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Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
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