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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
78
左右 33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.2
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.1
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
78
读取速度,GB/s
9.7
13.1
写入速度,GB/s
7.2
6.4
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
1584
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
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