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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
12.8
12.2
写入速度,GB/s
9.0
12.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2869
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
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