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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
27
读取速度,GB/s
12.8
17.3
写入速度,GB/s
9.0
15.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3632
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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