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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
总分
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
总分
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.8
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
38
读取速度,GB/s
13.3
13.8
写入速度,GB/s
8.5
10.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2213
2363
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB RAM的比较
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
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