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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
49
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
38
读取速度,GB/s
10.9
14.5
写入速度,GB/s
8.7
10.5
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3017
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
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