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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
51
左右 -82% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
28
读取速度,GB/s
9.8
18.3
写入速度,GB/s
8.1
14.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3454
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
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