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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
81
左右 37% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
81
读取速度,GB/s
9.8
15.2
写入速度,GB/s
8.1
7.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
1668
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
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