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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
10.2
15.8
写入速度,GB/s
8.1
9.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2384
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
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