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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
10.2
15.1
写入速度,GB/s
8.1
9.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2589
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM的比较
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
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