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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
52
左右 -79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
29
读取速度,GB/s
9.8
18.8
写入速度,GB/s
8.0
15.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
3734
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
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Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
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