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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
52
左右 -136% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
22
读取速度,GB/s
9.8
18.4
写入速度,GB/s
8.0
14.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
3394
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
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