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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
44
左右 -110% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.2
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
21
读取速度,GB/s
11.2
21.2
写入速度,GB/s
8.1
19.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
4404
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965640-004.C00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
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