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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
44
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
33
读取速度,GB/s
11.2
16.0
写入速度,GB/s
8.1
13.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3238
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
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