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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston XN205T-MIE 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Kingston XN205T-MIE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Kingston XN205T-MIE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
44
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
31
读取速度,GB/s
11.2
16.9
写入速度,GB/s
8.1
15.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3522
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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