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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
44
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
39
读取速度,GB/s
11.2
15.1
写入速度,GB/s
8.1
12.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3000
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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