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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
71
左右 38% 更低的延时
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
11.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
71
读取速度,GB/s
11.2
15.5
写入速度,GB/s
8.1
8.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
1922
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
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