RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

总分
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

总分
star star star star star
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    33 left arrow 44
    左右 -33% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16 left arrow 11.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.1 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    44 left arrow 33
  • 读取速度，GB/s
    11.2 left arrow 16.0
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 12.1
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2293 left arrow 3082

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较

EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB

SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
内存RAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
内存RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
内存RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
内存RAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
内存RAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
内存RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
内存RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
内存RAM