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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs V-GEN D4H4GS24A8 4GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
94
左右 53% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
11.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
94
读取速度,GB/s
11.2
14.7
写入速度,GB/s
8.1
7.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
1506
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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V-GEN D4H4GS24A8 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
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