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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
49
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.3
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
26
读取速度,GB/s
10.1
19.3
写入速度,GB/s
7.8
16.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3733
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-100.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
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