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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
49
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
27
读取速度,GB/s
10.1
17.4
写入速度,GB/s
7.8
14.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3557
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
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