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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
49
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
34
读取速度,GB/s
10.1
17.4
写入速度,GB/s
7.8
14.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3138
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
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G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
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