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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
差异
规格
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差异
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
28
读取速度,GB/s
10.4
19.2
写入速度,GB/s
7.8
15.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3698
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
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