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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
47
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
34
读取速度,GB/s
10.4
15.4
写入速度,GB/s
7.8
12.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2974
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
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Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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