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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
33
左右 -10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
30
读取速度,GB/s
8.0
17.0
写入速度,GB/s
7.3
13.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3428
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
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