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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
54
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
30
读取速度,GB/s
9.2
17.8
写入速度,GB/s
8.1
13.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3273
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
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