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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
差异
规格
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差异
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
54
左右 -116% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
25
读取速度,GB/s
9.2
15.9
写入速度,GB/s
8.1
12.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2907
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
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