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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
54
左右 -145% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
22
读取速度,GB/s
9.2
18.4
写入速度,GB/s
8.1
13.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3178
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
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Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
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