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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB

总分
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

总分
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G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB 需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    22 left arrow 54
    左右 -145% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.3 left arrow 9.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.5 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    54 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    9.2 left arrow 16.3
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 10.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2105 left arrow 2738

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较

Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
内存RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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