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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
54
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
34
读取速度,GB/s
9.2
15.1
写入速度,GB/s
8.1
10.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2620
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
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SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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