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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Kingston 9905624-045.A00G 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
63
93
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
93
读取速度,GB/s
8.1
15.5
写入速度,GB/s
7.5
8.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
1670
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
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