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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Kingston 9905734-059.A00G 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
63
左右 -103% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
31
读取速度,GB/s
8.1
15.7
写入速度,GB/s
7.5
12.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
3138
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
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