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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
63
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
37
读取速度,GB/s
8.1
16.9
写入速度,GB/s
7.5
14.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
3419
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-400.A00G 8GB
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
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Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
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Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
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