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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
比较
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
总分
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
51
左右 -82% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
7.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
28
读取速度,GB/s
10.2
18.7
写入速度,GB/s
7.6
15.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2049
3394
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
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