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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
49
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
30
读取速度,GB/s
10.0
17.0
写入速度,GB/s
8.2
13.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2116
3117
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
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