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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.8
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
6.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
11.8
11.0
写入速度,GB/s
7.3
6.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
1908
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
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Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
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