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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
29
读取速度,GB/s
10.6
16.0
写入速度,GB/s
9.0
12.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
3287
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X5H5PW-MIE 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
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