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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
104
左右 -247% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
30
读取速度,GB/s
3,192.0
17.4
写入速度,GB/s
2,404.5
14.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3527
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
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Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
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