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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
104
左右 -197% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
35
读取速度,GB/s
3,192.0
14.5
写入速度,GB/s
2,404.5
10.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2664
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
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