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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
60
104
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
6.4
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
4.2
2,404.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
60
读取速度,GB/s
3,192.0
6.4
写入速度,GB/s
2,404.5
4.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
1400
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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