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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
74
左右 -164% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
28
读取速度,GB/s
4,178.4
17.9
写入速度,GB/s
2,201.1
14.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3502
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
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