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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
74
左右 -196% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
25
读取速度,GB/s
4,178.4
15.5
写入速度,GB/s
2,201.1
12.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2685
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
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Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
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