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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
73
左右 -192% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.7
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
25
读取速度,GB/s
3,510.5
19.5
写入速度,GB/s
1,423.3
15.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3782
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
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Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
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