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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
73
左右 -161% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.3
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
28
读取速度,GB/s
3,510.5
18.3
写入速度,GB/s
1,423.3
15.3
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3708
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
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Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
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