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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
73
左右 -192% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
25
读取速度,GB/s
3,510.5
15.2
写入速度,GB/s
1,423.3
12.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2740
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
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