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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
73
左右 -181% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
26
读取速度,GB/s
3,510.5
18.6
写入速度,GB/s
1,423.3
13.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3406
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
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