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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
73
左右 -143% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
30
读取速度,GB/s
3,510.5
16.6
写入速度,GB/s
1,423.3
11.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2945
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
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