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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
73
左右 -115% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
34
读取速度,GB/s
3,510.5
16.7
写入速度,GB/s
1,423.3
10.6
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2789
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
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Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
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