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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
73
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.3
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
36
读取速度,GB/s
3,510.5
15.7
写入速度,GB/s
1,423.3
13.3
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3136
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
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