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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
69
左右 -109% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
33
读取速度,GB/s
3,325.1
15.6
写入速度,GB/s
1,441.2
11.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2855
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
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